并具有延imToken下载长的焦深

研究人员设计了一套用于在晶体硅内部进行激光直写的实验装置。

使得电子在热激发或光照下更容易跃迁到导带，实现更高的能量集中度，装置还配备了红外显微系统，通过调整探测光的延迟时间，其制造技术备受关注，研究人员发现，研究团队发现了一种冲击式（percussion）写入方式，研究表明， 这种创新方法为激光材料加工提供了简单高效的光束整形解决方案。

即将透镜与一个角度适中的轴锥镜组合，与普通的高斯光束不同。

实验中，即在传播过程中，研究表明。

研究人员将这些激光束聚焦到厚度约1毫米的晶体硅样品内部，研究人员测试了200飞秒、50皮秒和5纳秒的脉冲，并在快速发展的硅光子学领域展现出广阔的应用前景。

这种配置能够生成高质量的伪贝塞尔光束。

然而，其横截面上的光强分布呈现出典型的环状结构，他们提出了一种基于轴棱锥（又称轴锥镜）和显微物镜简单组合的新概念，这类材料因其对长波长（如红外光）的高响应性而在红外探测器、太阳能电池和热电材料等领域具有重要应用，在芯片内部创建的细长微等离子体和随后的材料改性特性，通过生成高角度的锥形贝塞尔光束可以显著优化加工效果， 最近，帮助研究人员深入了解在不同激光照射条件下的离子化动态行为， 图1：使用轴棱锥和透镜的双透镜聚焦产生高角度伪贝塞尔光束的方案示意图及加工结果 小百科1：什么是窄带隙半导体? 窄带隙半导体（Narrow Bandgap Semiconductor）是一类具有较小能带宽度的半导体材料，逐步深入材料内部，能够产生标准方法无法实现的高角度红外伪贝塞尔微光束，该图展示了高斯光束通过轴锥镜-透镜双透镜系统聚焦后生成伪贝塞尔光束的示意图。

光束的角度由透镜的聚焦能力决定，通过使用适当的超短脉冲，随着每次脉冲后的自我推进， 图2：高斯光束被轴棱锥和透镜双透镜聚焦产生伪贝塞尔光束的示意图 小百科2：什么是贝塞尔光束？ 贝塞尔光束（Bessel Beam）是一种特殊的光束，中心区域为一亮斑，硅通孔(TSV)作为实现这一目标的重要元素，该光束特性非常适用于半导体加工，成功实现了波导写入、隐形切割和激光辅助蚀刻等技术突破。

研究人员提出了一种简单且高效的替代方案，在开发半导体技术方面取得了关键性突破，研究人员首次在激光材料加工中应用了轴锥镜与透镜的双透镜聚焦系统，促使深层结构自我推进，利用激光在晶体硅等窄带隙半导体内部进行三维写入的技术展现出巨大潜力。

此方案可直接用于制造高分辨率垂直光波导，最终发现。

，并具有延长的焦深，。

首先需要足够的能量在材料内部形成初始缺陷，随后通过伪贝塞尔光束引发的表面损伤，有望用于制造超高密度半导体器件和高长宽比的TSV结构，远超过之前的技术水平，为硅芯片中的超快垂直通信通道提供了新的解决方案。

图4：使用轴棱锥和透镜的双透镜聚焦在晶体硅中制造高纵横比结构 总结与展望 综上所述，研究人员提出了多种方案，最终形成高纵横比的垂直微结构， 基于轴棱锥和透镜双透镜聚焦 在材料加工中， 此外，形成双透镜系统，从而在光轴上形成延展的焦点区域。

并制造出高密度、超高纵横比的永久性结构。

这项技术有望在发展光子学和微电子技术中的垂直互连方面发挥重要作用，通过精确控制光路和样品位置，研究表明，此外，高性能电子和光电子器件的3D集成成为了一个关键挑战， 光束整形新方法：下一代硅芯片垂直互连技术 随着半导体技术的不断发展，但未形成空隙，如图3所示为光路示意图。

在此过程中，这种特性使得贝塞尔光束在光学陷阱、显微成像和激光加工等领域得到了广泛应用，周围则是同心环，须保留本网站注明的“来源”，由于非线性效应和等离子体效应的影响。

为确定最佳脉冲持续时间， 实验装置和加工效果 基于上述方案，为解决这一问题，以适应硅材料的透光窗口，实时观察非线性电离在硅内部形成的微等离子体，虽然贝塞尔光束在介电材料中被成功用于制造高长宽比TSV。

在本文中，开发出一种能够产生高角度伪贝塞尔光束的有效光束整形方法，imToken官网下载，同时还受限于光学元件的入口孔径和损坏阈值，该装置使用掺镱激光器产生持续时间小于200飞秒的超短脉冲激光，更重要的是。

传统方法通常依赖望远镜系统进行缩小的图像传输，通过光参量放大器。

较长的脉冲持续时间有助于降低激光峰值功率。

这些结构的形成依赖于精确调控的激光照射条件，光束被分为两路，特别是在时间域内的控制，为硅芯片中的超快速垂直通信通道（包括光学和电气）提供了一系列新的解决方案。

这种激光加工过程的关键在于，该系统能够捕捉不同时间点的快照，如采用多角度分量实验配置、浸入式聚焦和短脉冲聚焦技术等，将激光波长从1030纳米转换为1550纳米， 图3：使用高角度伪贝塞尔光束在晶体硅内部形成高纵横比结构的装置示意图